SiO2/Si wafer

硅氧化片（SiO₂/Si）單晶片

常規產品參數
SiO2/Si	類型/摻雜	晶向	尺寸	表面	電阻率	SiO2 氧化層厚度
	非摻	(100) ± 0.5° (111) ± 0.5°	10 x 10 x 0.5 mm dia50.8 x 0.5mm dia76.2 x 0.5 mm dia100 x 0.5 mm dia150 x 0.625mm	單面拋光+單面氧化單面拋光+雙面氧化雙面拋光+單面氧化雙面拋光+單面氧化	> 1000 ohm-cm > 10K ohm-cm > 20K ohm-cm	100nm 280nm 300nm 500nm 1000nm
	N型摻雜Ph	(100) ± 0.5° (111) off axis 4.0°			1 ~ 10 ohm-cm
	N型摻雜As				0.001 ~ 0.005 ohm-cm
	P型摻雜B				1 ~ 10 ohm-cm 0.001 ~ 0.005 ohm-cm
備注	可按要求訂制不同氧化層厚度的產品可按要求裁切成不同尺寸

QQ截圖20240919180308.jpg