鋁鈧氮藍寶石外延片 （AlScN on Al2O3 wafer）
在已知的濾波器壓電材料中，氮化鋁薄膜C向聲波傳播速度可達12000m/s（傳統(tǒng)襯底材料的聲波傳播速度低于4000m/s）。
氮化鋁具有良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，以及對外界環(huán)境如壓力、溫度、應(yīng)力、氣體等具有極高的靈敏性，且與常規(guī)傳統(tǒng)的硅基CMOS技術(shù)相兼容，因而氮化鋁薄膜是5G高頻SAW/BAW濾波器及MEMS傳感器中最優(yōu)秀的壓電材料。
同時，摻雜鈧的氮化鋁薄膜能大幅提升氮化鋁薄膜的壓電系數(shù)，從而提高SAW/BAW的機電耦合系數(shù)，是新一代5G射頻SAW/BAW濾波核心襯底材料。
| 產(chǎn)品規(guī)格參數(shù) | |||
| 直徑（inch） | 2 | 4 | 6 |
| 基材 | 藍寶石襯底 C-plane | ||
| 基材厚度（μm） | 430±15 | 650±20 | 1300±20 |
| Sc 濃度（at%） | 40±5 | ||
| AlScN 外延層厚度（nm） | 800 | ||
| 晶面取向 | C-axis (0001) ± 0.2° | ||
| 有效面積 | > 95% | ||
| 裂紋 | No | ||
| HRXRD 半高寬 @ (0002) (arcsec) | <= 120 | ||
| 表面粗糙度Ra（5x5μm）(nm) | <= 10 | ||
| 總厚度變化（μm） | <= 10 | <= 20 | <= 20 |
| 翹曲度（μm） | <= 20 | <= 40 | <= 60 |
| 彎曲度（μm） | <= 20 | <= 40 | <= 60 |
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