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合肥元晶科技材料有限公司

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AlScN on Sapphire wafer

鋁鈧氮藍寶石外延片 (AlScN on Al2O3 wafer)

在已知的濾波器壓電材料中,氮化鋁薄膜C向聲波傳播速度可達12000m/s(傳統襯底材料的聲波傳播速度低于4000m/s)。

氮化鋁具有良好的化學和熱穩定性,以及對外界環境如壓力、溫度、應力、氣體等具有極高的靈敏性,且與常規傳統的硅基CMOS技術相兼容,因而氮化鋁薄膜是5G高頻SAW/BAW濾波器及MEMS傳感器中最優秀的壓電材料。

同時,摻雜鈧的氮化鋁薄膜能大幅提升氮化鋁薄膜的壓電系數,從而提高SAW/BAW的機電耦合系數,是新一代5G射頻SAW/BAW濾波核心襯底材料。

產品規格參數
直徑(inch)
246
基材
藍寶石襯底 C-plane
基材厚度(μm)430±15650±201300±20
Sc 濃度(at%)
40±5
AlScN 外延層厚度(nm)
800
晶面取向C-axis (0001) ± 0.2°
有效面積
> 95%
裂紋No
HRXRD 半高寬 @ (0002) (arcsec)
<= 120
表面粗糙度Ra(5x5μm)(nm)
<= 10
總厚度變化(μm)
<= 10<= 20<= 20
翹曲度(μm)<= 20<= 40<= 60
彎曲度(μm)<= 20<= 40<= 60

QQ截圖20240716223004.jpg